局域硅分子束外延技术的研究

对局域分子外延技术进行了研究，找到了局域分子束外延的工艺条件和合适的生长条件，观察到该方法生长的GeSi材料的光致发光。后来由于该技术在国际上被认为难以获得小尺寸的量子点材料，我们对研究工作作了些调整，探索了自组织生长方法，获得了直径为100nm，高度为24nm的Ge量子点结构，其尺寸均匀性优于±3%的量子点材料，其均匀性是目前国际上报道的最好值。此外对Si分子束外延中Sb掺杂和B掺杂行为作了较详细的研究，共发表论文10篇，其中七篇为SCI论文。