本项目的目的是探索高均匀性、高密度半导体自组装InAlGaAs量子点的分子束外延生长方法。和传统的Stranski-Krastnow (SK) 生长模式不同,我们将采用亚单层(Submonolayer)沉积法生长自组装InGaAlAs量子点。在生长亚单层InAlGaAs量子点时,交替沉积亚单层InAs和很薄的InAlGaAs 。和SK量子点相比,亚单层量子点具有密度高的特点,但其均匀性强烈地依赖
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数据更新时间:2023-05-31
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