宽禁带II-VI族半导体的杂质与缺陷工程

本项目系统研究宽禁Ⅱ-Ⅵ族半导体中杂质和缺陷，利用它们某些特有的行为，来控制优化其光发射性质，用于具有发展前景的蓝色光发射器件。应用电容 —电压、光致发光、深能级瞬态谱和持久光电导技术研究分子束外延生长的n型Al掺ZnS1-xTex外延层深中心，观察到了与Al有关的类DX中心。获得了与Al有关的类DX中心光离化能Ei（-1.0eV和2.0eV）和发射势垒Ee（0.2EvT 0.9eV），表明ZnS1-xTex大晶格驰豫出现是由类DX中心引起的。这些研究成果分别在欧洲的《晶体生长杂志》和国内的《物理学报》上发表，在1998年美国物理协会和2000年澳大利亚第11届国际半导体和半绝缘材料会议上作分组报告。获得一项国家知识产权局批准的实用新型专利。培养了一位博士和二位硕士。