一维ZnO纳米线的离子掺杂、表面修饰及其电子场发射增强效应研究

采用纯Zn粉低温热蒸发气相传输工艺研制定向生长的微细ZnO纳米线阵列，形成ZnO冷阴极的优良表面形态；氢等离子体或氢离子注入继而对其进行n型重掺杂，显著降低其电阻率，增强ZnO纳米线的载流子浓度，提高ZnO纳米线的电子传输能力；Cs+离子注入或非晶氮化碳（a-CNx）薄膜进一步对掺杂ZnO纳米线阵列作表面修饰，有效降低ZnO纳米线表面的功函数，营造电子发射的有利条件，以期望获得具有优良场电子发射特性的新型冷阴极发射器及相关技术资料和物理机制。为其在真空微电子工业、国防等领域的应用提供科学依据和技术支持。