氢区熔吸除硅片表面纳米多孔硅的薄膜修饰
基本信息
批准号：60071006
项目类别：面上项目
资助金额：18.00
负责人：薛成山
学科分类：
依托单位：山东师范大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李怀祥,陈鲁生,周武,李传波,贺月娇,肖淑娟
关键词：
吸除硅片多孔硅薄膜修饰
结项摘要
利用自制的氢区熔硅单晶为基础，通过中照和热处理制得具有表面完整的吸除硅片，在表面完整层上通过光电化学方法制备出纳米吸多孔硅。通过荧光光谱和扫描隧道显微分析，探讨其光致发光或电致发光的物理机制和导致发光淬灭的原因，开展有针对性的表面薄膜修饰，以提高发光强度，改进发光稳定性，为制备新的发光材料和光电子器件提供依据。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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