为了突破硬盘期望的100Gb/in2的存储密度,提出在磁头/盘系统中同时引入飞高调节微驱动器和径向调节微驱动器的方法。引入飞高调节微驱动器,利用压电元件的逆压电效应使基体结构变形,进一步降低磁头与磁盘的间隙,提高硬盘的周向存储密度;引入基于MEMS技术的磁头驱动型径向调节微驱动器,并将此微驱动器作为硬盘系统的二级驱动,能够有效增加系统的伺服带宽,提高磁头径向定位精度,从而提高硬盘径向存储密度。针对这种结构利用修正雷诺方程和分子动力学建立低飞高情况下硬盘系统的润滑模型,分析系统的动力学特性、高剪切率时的润滑特性、压电片优化设计、微驱动器的设计、实现以及MEMS加工工艺,同时进行微驱动器测试实验台研制及微驱动器性能测试工作。该研究将基础理论研究和实验研究相结合,推进了硬盘系统的研究发展,解决了硬盘研究的关键技术。
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数据更新时间:2023-05-31
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