在纳米尺度,选择Si/SiO2界面为研究对象。Si是基底,SiO2为Si基底面上的纳米尺度小岛。Si是半导体材料,SiO2是绝缘材料,被广泛应用于微电子器件中。应用分子动力学方法模拟Si/SiO2界面断裂,观察微裂纹,空洞和界面位错形核和演化,与原子操纵的实验结果比较。增进对纳米尺度界面裂纹的理解,建立外载荷与界面断裂韧性和强度的关系,为材料设计和应用提供有价值的参考数据。
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数据更新时间:2023-05-31
High Performance Van der Waals Graphene-WS2-Si Heterostructure Photodetector
萃取过程中微观到宏观的多尺度超分子组装 --离子液体的特异性功能
非牛顿流体剪切稀化特性的分子动力学模拟
血管内皮细胞线粒体动力学相关功能与心血管疾病关系的研究进展
制冷与空调用纳米流体研究进展
离子液体中纳米尺度团簇的分子动力学研究
纳米尺度电润湿过程中流体界面的稳定性和动力学研究
三维界面断裂力学的几个基本问题研究
基于相场法/分子动力学模拟耦合界面的沥青低温断裂机理多尺度研究