低维电子系统与太拉赫兹场的相互作用

基本信息
批准号:19774061
项目类别:面上项目
资助金额:8.00
负责人:雷啸霖
学科分类:
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:杨国宏,董兵,陈意桥
关键词:
载流子输运THz场低维电子系统
结项摘要

设计研制了高气压多丝室和带转换体的多丝室研究不同能量X射线入射条件下氙的特征X射线对多丝室成像性能的影响。氙的X射线引起的误计数是计数的12.4%,通过蒙特卡罗模拟建立修正矩阵,可以有效地提高投影像的分辨率和重建积分吸收系数的精度。多丝室的能量分辨率为20%左右,漏气率小于0.0001/分.气体电子倍增器GEM是近几年发展的新气体元件,可以作为多丝室的阴极和预放大部分.实验结果表明在氩和10%二氧化碳混合气体中,GEM的放大倍数达150,使多丝室可安全地工作在较低电压下,是理想的X射线探测器。基于位置灵敏光电倍增管的小型r相机的研究对图象数据的获取重建和处理积累了经验。由于压缩效应对直径2mm平等孔位置分辨为4mm。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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