半导体微结构材料的热电子输运和器件模拟

本项目全面发展了我们自己提出的对任意能带系统有效的平衡方程方法，建立了可用于空穴能带，高激发子带，多能谷半导体，以及包含碰撞离化效应，强高频电场效应和空间非均匀效应的动量、能量平衡方程以及流体力学方程。从这些方程出发，研究了空穴超晶格的微带输运，GaN和Si等多谷半导体中的碰撞离化对强电场输运的影响，强高频电场及直流电场同时驱动下准二维系统的输运性质；研究了宽带超晶格中电场畴的形成、运动和传播，绝对不稳定性的出现，模拟了超晶格负微分迁移率振荡器的工作状态及复杂的非线性行为。研究结果在SCI刊物上发表论文14篇。SCI统计，96-98年间我们的论文被引用超过300次。