硅量子点的异常结构及其高效率蓝光发射研究－－制备、表征及电致发光
基本信息
批准号：50402010
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：25.00
负责人：杜希文
学科分类：
依托单位：天津大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：师春生,翟琪,符杨,韩学
关键词：
硅能带结构电致发光量子点异常晶体结构
结项摘要
人类在二十一世纪将迎来光通讯时代，硅基发光材料与现有的半导体器件制造技术相容，是实现光电集成的关键材料，但硅的间接带隙能带结构使得这类材料发光效率低下。本项目计划通过获得异常结构的硅基发光材料改善其发光效率，主要内容包括三个部分：（1）通过反应共沉积、激光处理和催化电化学的方法获得异常结构的硅量子点材料，并进行表面修饰，实现硅量子点由间接带隙向直接带隙的转变，从根本上提高发光效率。（2）利用先进的
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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