多场作用下薄膜内导线中孔洞扩张和愈合机理的研究

基本信息
批准号:10572088
项目类别:面上项目
资助金额:34.00
负责人:李中华
学科分类:
依托单位:上海交通大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:尚福林,罗景华,赵涛
关键词:
薄膜内导线失效愈合机理。孔洞演变原子扩散
结项摘要

在力、电、热多场作用下,微电子器件薄膜内导线中孔洞扩张、漂移、变形、失稳是导致失效的主要原因。以往的研究仅考虑孔洞在体积守恒条件下的演变,虽然揭示了由孔洞失稳导致电路开路失效的机理,但薄膜内导线的寿命主要取决于孔洞扩张的速率过程。本项目致力于研究薄膜内导线中孔洞形状和体积演化的动态过程: 一方面可由孔洞扩张、变形的速率过程, 对由孔洞失稳导致的失效进行寿命评估;另一方面更侧重于探讨孔洞收缩-愈合的机理和条件,为安全设计、防止失效提供理论依据。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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