1.55umInGaAs/InGaAsP/InP多量子阱微腔碟型激光器

基本信息
批准号:69577018
项目类别:面上项目
资助金额:13.00
负责人:武胜利
学科分类:
依托单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
批准年份:1995
结题年份:1998
起止时间:1996-01-01 - 1998-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:朴友植,赵淑芳,张志和,刘云
关键词:
量子阱激光器InGaAsP
结项摘要

微腔激光器具有高集成度,高响应速度,低阈值、低功耗、低噪声和单模工作等优点,在光通讯、光互连、光计算和光信息处理等方面具有非常重要的应用前景和丰富的物理内涵。本项目采用LP-MOCVD材料生长和微细加工技术研制出发射波长1.55μm、直径3μm的InGaAs/InGaAsP/InP多量子阱蝶型微腔激光器,泵浦激射阈值为16μw,达此种器件的1996年国际先进水平。研究了自发射耦合特性、光谱线宽、模式特性、腔Q值以及腔量子电动力学效应,在国内外学术刊物和会议发表相关论文16篇,获准专利两项,超额完成了项目计划书中的各项指标。开展了国际合作,缩短了国内外的研究差距。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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