半导体硅片的金属微观污染机理的研究
基本信息
批准号：20073036
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：程璇
学科分类：
依托单位：厦门大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：冯祖德,刘峰名,罗广丰
关键词：
金属污染铜沉积硅/溶液界面
结项摘要
亚微米技术要求硅表面原子水平上洁净平整.硅表面金属污染是造成器件性能失效的主要原?本课题基于单金属铜沉积的电化学属性,研究多金属共存下硅/溶液界面的铜沉积反应动力学,化学组成及表面性质,阐明硅表面金属微观污染的机理,探明消除铜沉积的原理,为发展能应用在湿法清洗工艺中快速检测和控制溶液中微观铜在硅表面污染提供科学依据.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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