分子束外延生长的低维结构半导体在位光谱实验研究

基本信息
批准号:69676014
项目类别:面上项目
资助金额:11.00
负责人:陆卫
学科分类:
依托单位:中国科学院上海技术物理研究所
批准年份:1996
结题年份:1999
起止时间:1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:姜山,刘兴全,万明芳,查芳星,史国梁,严立平
关键词:
调制光谱传导电子分子束外延
结项摘要

建立了任务要求的原位光谱系统,并应用该系统获得了丰富的光谱结果;通过光谱的研究,已发表学术论文12篇。在实验系统的研制上通过在光谱采集系统的光路特殊配置与可重复高稳定性地光谱测量上的技术突破,使系统实现了分子束外延系统中原位样品的微弱光谱信号高灵敏度测量,其信噪比优于100,从而可成功地探测出5个原子层内受限电子能态间的光跃迁。在国际上对这种超薄的又含有表面影响的材料可探测且与材料生长系统集成系统尚未见报道。含表面的受限电子能态研究方面直接给出了表面对近表面价态民子的影响。观察和研究了表面δ掺杂结构中限制态到连续态的跃迁和表面量子台阶体系中共振态之间的光跃迁特性,这些结果在国际上均属首次观测。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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