离子束增强沉积制备过渡族金属硼化物薄膜的研究

基本信息
批准号:59272086
项目类别:面上项目
资助金额:6.00
负责人:尤大纬
学科分类:
依托单位:中国科学院国家空间科学中心
批准年份:1992
结题年份:1995
起止时间:1993-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王宇,白新得,刘义崇,李安杰,武建军,夏磊
关键词:
***
结项摘要

本工作是用离子束增强沉积法(IBED)在硅、铜、钢基体上制备过渡族金属硼化物薄膜主要是二硼化钛(TiB2)薄膜及其性能与微结构研究。俄歇电子谱(AES)分析指出:用IBED法成功地制备了符合化学成份配比的有较宽混合区的TiB2薄膜;用X射线的衍射(XBD)研究了膜的微结构,测定了膜厚及其硬度,结果指出TiB2的晶化程度随轰光束能量成束流的增加而提高,膜的硬度也随之增高(2421至3370Kg/mm(2));膜的高温氟化试验结果指出镀有TiB2薄膜的铜比铜氧化增量减少数倍;电化学腐蚀试验表明腐蚀、维纯及临界电流密度的降低约2个数量级;膜的摩擦磨损试验指出摩擦系数变小及磨损量减少。还做了膜的划痕试验、膜的电阻测定及拓电强烧蚀试验。此膜已获得良好的应用效果。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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