等离子体辅助成膜技术

等离子辅助成膜技术的关键是GIS型等离子源。该源是为了大面积生产高质量光学薄膜的需要而研制的新型源。该源可以在直径1米的箱体内提供高达0.5ma/cm(2)的离子流均匀度20%，为我国，在生产大面积高质量光学薄膜方面，解决了重要的技术和设备。中科院空间中心、北仪厂、北京理工大学以产、学、研的形式合作研制了该型设备。该源为大功率强流源，功率1～7KW，流强10-70a、最大离子流密度200-500μa/cm（2）。由于进行了异型磁场的设置，使等离子体源的拔出效率大为提高：该源长期运行后证明工作稳定：该源已配置在生产型镀膜机上，实际镀制的TiO2膜的结构和折射率以及多层减反膜，已达到莱宝公司1992年利用APS源达到的性能。该源的研制成功，使我国光学镀膜技术达到了一个新水平。