本项目采用原子力显微镜(AFM)探针诱导阳极氧化工艺、扫描隧道显微镜(STM)探针电流诱导氧化工艺、AFM探针机械划刻工艺分别在Si基底、Ti膜和Au膜上制备节距小于100nm、线宽小于50nm的一维和二维纳米样板。研究三种加工方法的理论基础和动力学规律、加工参数的分析和优化;分别用三种方法制备名义节距小于100nm、线宽小于50nm的一维和二维纳米样板,开发出一套完整的制备工艺,并对相应的纳米样板进行精度分析;对基于扫描探针显微镜(SPM)的加工和测量不确定度影响因素进行分类,并对探针与样品的耦合作用、扫描器的迟滞效应和爬行效应进行详细分析,得出相应的在线补偿模型;对参数易控、图形质量好、重复性高的纳米样板进行标定和量值溯源。上述纳米样板的研制和量值溯源的研究,将极大地推动纳米测量技术和半导体、平面显示器以及高密度存储器制造业的快速发展,加速我国纳米、亚微米尺寸计量量值溯源体系的建立。
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数据更新时间:2023-05-31
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