在电子回旋共振等离子体中区域高浓度生长氮化镓的研究
基本信息
批准号：59872050
项目类别：面上项目
资助金额：11.00
负责人：姚鑫兹
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：江德仪,陈广超,杜小龙
关键词：
电子回旋共振汽相沉积氮化镓
结项摘要
在电子回旋共振等离子体（ECRP）中，应用金属有机化合物汽相沉积法（MOCVD）来生长高柿康牡兀℅aN）薄膜。通过在衬底表面局部空间高浓度镓、氮的方法，得到高的薄膜生长速率，同时降低衬底温度，并获得高质量的材料，从而为微电子工业研制新型的发兰光二极管和兰光激光器提出了一种新的MOCVD法。同时，对结果进行物理、化学分析。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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