半导体超晶格电化学原子层外延技术与机理研究

建立了包括信号发生器、恒电位仪、数据采取和薄层电化学池的薄膜电化学沉积三电极系统，研究了在ITO导电薄膜衬底之上的CdTe和CdxHg1-xTe的共沉积过程和机理，如溶液浓度，温度，PH值，搅拌以及沉积电势，电流等，用俄歇电子能谱，扫描电子显微镜等分析了薄膜的化学成份，微观结构和形貌。制备出了Cd/Te比可控，厚度为60至100A°的CdTe和CdxHg1-xTe半导体薄膜。深入系统地研究了欠电势下原子层外延CdTe的制备工艺和规律，测定并确定了Cd和Te的欠电势沉积电极电位，研究了欠电势下单原子层Cd和Te的沉积条件。在单晶Si-Au（111）取向的衬底上获得了多原子层交替外延的CdTe薄膜。用原子力显微镜分析了薄膜的微观结构，观察到沉积膜颗粒沿某一方向具有较明显的择优取向。