多晶硅薄膜晶体管的建模及特性研究

根据多晶硅特性来建立Poly-Si TFT的表面势隐含方程，利用Lambert W函数来求解Poly-Si TFT的表面势隐含方程。同时利用Shroder级数优化和泰勒展开来进一步提高解的精度。研究完善Poly-Si迁移率的模型；研究晶粒边界陷阱态的载流子的热电子场发射和表面散射，研究横向速度饱和导致的迁移率退化机制；研究Poole-Frenkel效应对Leakage 区的影响及Leakage区模型参数的提取策略；研究晶粒边界对Kink 效应的影响并考虑温度效应的影响。提出基于表面势的多晶硅薄膜晶体管的紧凑模型，该模型包括DC模型和AC模型，同时考虑kink效应和leakage效应；模型能用单一的电流方程光滑、准确地描述亚阈值区、开启区（包括线性区和饱和区），适用于嵌入到电路仿真器上仿真。