用溶胶－凝胶工艺研制二氧化硅驻极体和微电子介质薄膜

本课题在国际上首次研究了用溶胶—凝胶工艺制备适用于驻极体微型传感器芯片材料的高纯、致密SiO2高绝缘的功能电介质膜，其形成工艺同时适用于微电子介质薄膜的制备。首次研究了这类薄膜的电荷动力学规律；系统地研究了热处理工艺对sol-gelSiO2驻极体薄膜性能的影响，即合理地控制成膜后的热处理可以有效的控制材料的纯度和致密性，明显地改善了用作贮电材料的这类薄膜的电荷寿命（负电晕的TSD主峰在300℃以上，正电晕在160℃以上），电荷稳定性和热湿氧化工艺的SiO2类似。在此基础上本课题还研究了具有高电荷储存能力和重要应当前景的SiO2气凝胶驻极体薄膜材料和SiO2/P（VDF/FrFE）复合材料，从而扩展了本课题的研究范围。