强场诱生并与电场奇异性密切相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一。本项目研究并确定随机电报信号RTS与边界陷阱之间的相关性,建立其表征模型,配合子波分析、平衡测量和热载流子注入辅助技术,通过RTS测量来确定深亚微米MOS器件边界陷阱空间分布和动力学特征量,可望为此类器件的可靠性评估提供一种新的手段。
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数据更新时间:2023-05-31
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针对弱边缘信息的左心室图像分割算法
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“阶跃式”滑坡突变预测与核心因子提取的平衡集成树模型
SUMO特异性蛋白酶3通过调控巨噬细胞极化促进磷酸钙诱导的小鼠腹主动脉瘤形成
深亚微米含氟MOS器件可靠性研究
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