深亚微米含氟MOS器件可靠性研究
基本信息
批准号：69076422
项目类别：面上项目
资助金额：3.50
负责人：徐元森
学科分类：
依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份：1990
结题年份：1993
起止时间：1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：龙伟,范恒,翁建体,解晓东
关键词：
氟可靠性MOS器件
结项摘要
当前国际上利用薄膜微电子工艺,研制一种微米级的真空微电子管,具有许多比晶体管优越的性能,但其真空系统不封闭,难于集成化,本项目在研制一种封闭型的真空微电子管,使用中不必再抽真空,且易于与阻容元件构成集成电路,可加速新的一轮电子技术革命的到来.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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