氧化锌基光电信息功能薄膜的载流子传输机制及应用研究

ZnO宽禁带半导体材料在新型短波长光电器件方面具有十分广泛的应用前景。但是，p型ZnO的制备非常困难，极大地限制了ZnO短波长光电器件的研究开发。近期，本课题组采用独特的掺杂技术，研制出电学性能超过国际最好水平的低阻p型ZnO薄膜，并在国际上首次成功制备出p-ZnO/n-ZnO同质p-n结。本项目拟在此基础上，将理论计算与实验研究相结合，深入探讨ZnO基薄膜的掺杂机理和载流子传输机制，实现优质p型、n型和带隙可调ZnO薄膜的可控生长，探索ZnO同质p-n结的形成机理、ZnO基紫外探测器的工作原理及其在光电领域应用的可能性。本项目的研究内容是国际学术界关注的前沿课题，对提高我国氧化物薄膜材料及氧化物半导体材料的基础研究水平具有重要意义。同时，以矿藏丰富的ZnO取代GaN作为短波长光电器件（如：紫外探测器、发光二极管和激光器等），不仅可以提高我国锌资源的利用水平，而且具有良好的市场应用前景。