根据氧化硅陶瓷晶界内烧结助剂和杂质的阳离子在氧化时会向氧化层扩散与富集这一现象,探讨利用氧化层高温萃取晶界内阳离子、氧化层的清除以及使晶界快速结晶的方法;分析温度、气氛、成分等因素与这些过程的关系;并研究上述处理对氮化硅陶瓷氧化速率的影响。研究结果有望为提高氮化硅陶瓷抗氧化性提供一种适应性广、可靠性好和费用低廉的方法。
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数据更新时间:2023-05-31
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