新型低压低功耗快闪存储器技术研究

本项目以快闪存贮器这一目前发展最快、最有市场前景的半导体存贮器作为研究突破口，针对其在编程电压、编程功耗、读取速度、尺寸缩小的限制、可靠性问题和系统集成等方面面临的主要科学问题，提出一种采用源极诱导带带隧穿热电子注入机制进行编程的新型快闪存储器技术，通过对存储单元编程特性、可靠性和集成工艺等关键方向进行深入的研究，开发具有低编程电压、高编程速度、低功耗、高读取速度、高可靠性、单元尺寸小、工艺简单和易于按比例缩小等特性的适于Code应用的新型快闪存储器技术，并将提供创新性的、具有独立自主知识产权、有成套集成工艺、有实际应用价值的深亚微米快闪存储器原型。本项目的研究将提高我国在相关领域的自主开发水平，同时促进我国微电子学科的自身进步，以求实现在高起点上的可持续发展，改变我国在微电子领域的落后状况。