基于SOI技术的新型抗辐射非挥发存储器件研究

抗辐射非挥发存储器在国防电子装备、宇航系统、深空探测、气象、地面监控系统等众多领域有着广泛应用，但在具有大剂量抗辐射加固能力的高可靠器件研究方面正面临严峻科学挑战，并显现出向电荷俘获型技术及SOI技术转移的趋势。本项目针对当前抗辐射非挥发存储器研究面临的主要技术限制和发展趋势，基于SOI技术研发新一代具有大剂量抗辐射能力的CTM存储技术。课题首次提出一种基于源级诱导带带隧穿热空穴注入编程的新型自洽浮体SOI-CTM存储器件结构，并重点通过对新型SOI-CTM存储器件结构及其操作、存储器件及工艺设计实现、器件特性及抗辐射特性等关键技术进行系统深入的前沿性研究，研发具有良好抗辐射性能的绝缘衬底CTM存储器件。本研究将有助于为发展具有自主知识产权的新一代大剂量抗辐射存储技术提供科学依据及技术基础，并促进我国国防应用核心电子器件的发展。