亚微米集成电路离子刻蚀终点检测方法研究
基本信息
结项摘要
大规模集成电路离子刻蚀工艺中的关键问题之一是准确地监测刻蚀的终点，没有欠刻蚀和尽量小的过刻蚀。本课题研究了用双光路双波长适时监测刻蚀过程中反应物和生成物的光谱强度变化的方法来确定刻蚀终点。用两个光纤测头耦合器和密闭式光谱分光系统，取出两路光信号，转换成两路电信号。由于信号微弱，甚致小于1μV，为了防止刻蚀现场的强电磁场干扰，采用了相关检测和多重滤波技术，信号放大10万倍，由计算机分时采集两路信号，进行除运算，画出过程曲线。在车间现场实验中，用PHA-500型手板式刻蚀机，用SF6气体刻Si3N4，功率为150-200W，刻蚀面积最小为1.5cm（2），曲线可明显看出刻蚀终点特征。用测厚仪测出过刻蚀量为50A，达到预定目标。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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