绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究
基本信息
批准号：60676005
项目类别：面上项目
资助金额：30.00
负责人：成步文
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：左玉华,罗丽萍,时文华,胡迪
关键词：
SOI键合应变SiGe弛豫
结项摘要
绝缘层上弛豫SiGe材料（SGOI，SiGe-on-insulator）将SiGe技术与SOI技术结合起来，是新一代微电子材料。本项目提出采用柔性键合与智能剥离技术，将应变的SiGe/Si材料与SiO2/Si进行柔性键合，在去除Si衬底过程中或去除衬底后的热处理过程中使SiGe的应变弛豫，从而制备出SGOI材料。通过对应变SiGe材料的生长、SiGe/Si与SiO2/Si柔性键合、SiGe/Si智能剥离技术的研究，以及对应变的SiGe薄膜材料在键合转移中和键合后热处理过程中应力的弛豫过程的物理机理的深入研究，探索一种工艺简单、材料质量优良的实现SGOI材料的新方法，为新一代超高速、低功耗的微电子集成电路的研制打下材料基础。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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