光刻成像的矢量场理论与技术研究

光刻技术是极大规模集成电路制造的核心技术。作为光刻工艺中最关键设备的光刻机直接决定了集成电路芯片的特征尺寸，成功建立光刻成像的矢量场理论将会为新型光刻系统的设计提供理论指导。本项目围绕高端光刻机技术中的焦深延拓问题开展研究，发展光刻成像的矢量场衍射理论，并用于描述大视场、大数值孔径光刻成像系统的像空间光场分布，在此基础上建立矢量场衍射的焦深延拓理论模型，实现垂轴与轴向像质参数及波像差等关键理论模型研究的重要突破，提出有重要应用价值的焦深延拓方法，为45纳米以下高端光刻机焦深延拓与像质原位检测技术的研发奠定重要理论基础，本项目具有重要的理论研究价值和应用前景。