半导体量子点的量子限制效应和临界尺寸的理论研究

基本信息
批准号:19774001
项目类别:面上项目
资助金额:9.00
负责人:任尚元
学科分类:
依托单位:北京大学
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:宋健,陈夏,赵国念,鲜于海清
关键词:
量子限制效应半导体量子点
结项摘要

本课题利用量子力学和固体物理的理论方法,研究低维物理系统特别是半导体量子点中的量子限制效应QCE。主要成果是:1.在国际上第一次得到了一个一维布洛赫波QCE一般情况下的介析介。这一方面对于多年前玻恩和拉曼争论过的,作为现代固体物理基础的基本假定的周期性边界条件实际上对任何实际固体却并不存在固体中电子态的影响在一维情况下给出了一个严格和完整的介答,另一方面对认识纳米材料中电子态也有着显著重要意义。2.发展了一种新的处理低维物理系统中QCE的计算方法,比有效质量方法精确度高,又比直接计算方法计算量少。3.发表了第一个计算半导体中量子点中深能级杂质态的理论工作。4.研究了金属量子线中费米能级的尺寸效应。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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