γ-LiAlO2晶片上非极性宽禁带半导体薄膜制备及其光电特性研究

宽禁带半导体材料（GaN、ZnO）和器件的研究近年来如火如荼，在短波长激光器、紫外探测器、半导体白光照明等领域有广泛应用。但目前制备的GaN基和ZnO基膜基本上都是沿六方结构的c轴生长的，由于自发极化和压电效应在有源层中产生了内建电场，影响器件的发光效率，因此制备非极性膜和器件是目前研究热点。中科院上海光机所1998年在国际上首次利用MOCVD技术以（100）γ-LiAlO2（LAO）为衬底制备出非极性m面GaN膜，2005年8月在（302）LAO上制备出非极性a面GaN膜,最近又在（301）LAO上制备出非极性a面ZnO膜。本项目拟系统研究LAO晶面上非极性和半极性GaN膜和ZnO膜生长机制，掌握在LAO晶片上制备高质量新型非极性和半极GaN膜和ZnO膜的方法，探索非极性GaN膜和ZnO膜的新特性及其应用前景。