强制对流控制大直径优质CdMnTe单晶生长的机理研究

本项目对ACRT—B法单晶生长过程中的对流进行了数值模拟，探索了籽晶法制备CdMnTe单晶的工艺，详细研究了ACRT—B工艺对CdMnTe单晶的组分分凝特征及晶体质量的影响，并与CdZnTe等其它衬底材料进行了对比。同时开发出了一套具国内领先水平的ACRT—B单晶生长设备。研究结果表明：ACRT—B法所产生的强制对流可有效地改善固液界面形态，从而提高单晶生长率；CdMnTe单晶属于半磁半导体材料，有一系列独特的光学和磁学性质如：巨磁光效应、巨负磁阻效应以及磁场感应的绝缘体—金属转变。特别是CdMnTe单晶的晶格常数随Mn含量的变化大幅度地线性减小，可为其它材料的外延生长提供无失配的衬底。所以，Cd1-xMnxTe单晶具有广泛的应用前景。