大直径硅单晶双加热器生长控氧、碳机理研究

在投料量大于50公斤直拉单晶炉上施加双加热器及合理的导流系统，熔硅时双加热器投入，熔硅后降低下加热器功率，控上下加热比例，形成较小的熔体纵向和径向温度梯度，最大限度抑制热对流，利用气体上导流增加熔硅中碳的挥发和抑制熔体热对流双重作用，降低硅中氧、碳及重金属杂质含量，并研究该条件下杂质输运过程和控氧、碳及重金属杂质的机理。