溅射法制备低电子缺陷的HfO2薄膜

以HfO2和SiO2为代表的高损伤阈值材料被认为是制备高功率激光器光学元件的理想材料。制备高应变弛豫度、低电子缺陷、高激光损伤阈值的光学薄膜仍是制备高功率激光器的瓶颈，因此必须找到一种合适的制备工艺来实现高质量光学薄膜的制备。鉴于溅射法制备薄膜成本低，薄膜均匀且致密等优点，本项目将利用直流、射频磁控溅射和离子束溅射三种溅射方法在不同衬底上制备高质量的HfO2薄膜。研究不同衬底和缓冲层结构对HfO2薄膜的应变弛豫和电子缺陷特性的影响，以及HfO2薄膜的电子缺陷对其光学特性（包括折射率和透过率）和激光损伤方面的影响，分析激光损伤HfO2薄膜的内在机理，力图建立合适的物理模型来解释电子缺陷对激光损伤阈值的内在机理。基于多年在氧化物薄膜研究方面积累的丰富经验，本项目组将探索优化溅射法制备工艺，制备高质量的HfO2薄膜，力争在高激光损伤阈值的光学薄膜研究方面取得前瞻性的，具有原创水平的科研成果。