SiGe异质外延体系在高温氧化、退火中的应变研究
基本信息
批准号：10075072
项目类别：面上项目
资助金额：20.00
负责人：朱德彰
学科分类：
依托单位：中国科学院上海应用物理研究所
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：俞国庆,王永其,陈长春,丁印锋
关键词：
硅锗合金应变
结项摘要
硅锗合金材料因其具有较高的空穴迁移率而特别适合制作高速微电子器件，因为锗原子比硅大, 硅锗合金外延层就存在压缩应变。这将进一步增加载流子的迁移率、提高器件的工作速度。但在器件的氧化和退火后处理工艺中会造成应变外延层的弛豫。本项目欲采用掠角背散射和沟道效应技术以及XRD技术研究硅锗异质外延体系在高温氧化和退火时的应变。....
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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