半导体纳米光电记忆复合材料设计及其应用
基本信息
批准号：59482004
项目类别：专项基金项目
资助金额：10.50
负责人：邹炳锁
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：1994
结题年份：1997
起止时间：1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：邹炳锁,林金谷,徐积仁,王文华,赵菁,梁夏,岳增山
关键词：
光电记忆半导体纳米微粒合成与设计
结项摘要
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
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数据更新时间：2023-05-31
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