硅基纳米半导体发光的有关理论

多孔硅研究的进展使硅基光电子器件已具雏形。它的最终实用将引起显示，通讯，计算领域的变革。突破的关键是找到正确的理论模型。前人的模型无法解释许多实验。量子限制发光中心模型可从图象上解释绝大部分实验。本课题的目的是为该模型建立精确的理论框架，据此可以自洽地解释一系列疑难实验并为提高光致和电致发光的量子效率指出途径。