低维半导体系统的声拖磁热功率和库仑拖电阻率计算

用非均匀系输运理论首次导出不等于零的M张量的分量Mxx的理论公式，由此算出的低维半导体系的声拖磁热功率振荡与实验符合的情况远优于前人的结果。提出对耦合双柱形量子阱的库仑牵引电阻率的计算可以统一地导出耦合二维——二维系和耦合二维——一维系的库仓库牵引电阻率，有关研究对低维集成器件的开发设计有一定的价值。在计及由电荷转移而造成的内电功和电子空穴间互作用的条件下计算了双量子阱、双量子线及双量子点之间电子空穴对的隧穿。以此为基础在综合讨论上载流子的声助驰豫率，电子 空穴对隧穿入氧化层并被发光中心吸收以及纳米粒子内外辐射的无辐射复合率的相对大小后，确证了可解释纳米品耗发光大部份实验的“量子限制发光中心模型”的要行性。