从原子水平上研究薄膜材料的表面与界面

基本信息
批准号:59131010
项目类别:重点项目
资助金额:50.00
负责人:林彰达
学科分类:
依托单位:中国科学院物理研究所
批准年份:1991
结题年份:1995
起止时间:1992-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:范毓殿,李楠,李文治,冯克安,刘振祥,齐上雪,包昌林
关键词:
**
结项摘要

第一子课题研究了异质衬底/薄膜系统和磁性多层膜。采用离子束辅助淀积薄膜方法,大大增强了薄膜与衬底的结合力,研究了四个系统的膜生长机制和界面结构。对磁性多层膜研究了原子尺度的膜厚变化对磁性的影响,第一个在Fe/Cu系统中发现磁矩150%的增强和在Fe/Al系统中的双周期结构。第二子课题首先采用高分辩电子能量损失谱弄清了金刚石膜(111)面和(100)面生长机制,得出并解释了晶面显露规律和原子氢和原子氧在生长中的作用,成功地进行了载能离子辅助室温下成膜实验。创造了低压形核和Si(+)束注入形核方法,得到高的形核出度。在Si(100)衬底上外延出D(100)和D(111)金刚石膜,最大面积达5×5μ(2)。相应地有理论工作配合。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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