化学转化聚硅烷制备二氧化硅膜的研究
基本信息
批准号：29771024
项目类别：面上项目
资助金额：17.00
负责人：傅鹤鉴
学科分类：
依托单位：四川大学
批准年份：1997
结题年份：2000
起止时间：1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：谢茂浓,李高全,马洪,谭建,彭志坚,苏志珊
关键词：
准分子激光SiO2膜聚硅烷化学转化
结项摘要
用自创预聚法获较高分子量且可溶聚硅烷。通过改变封端剂，显著降低产品中氧含量。氧等离子体处理聚硅烷制备SiOx膜用Poly-SiOx表示。对该膜进行 了IR、XPS，折射率等测试。不同结构聚硅烷制Poly-SiO2膜条件不同。Poly-SiO2/Si结构界面固定氧化物电荷密度在10（10）～8.8×10(11)cm(-2)数量级，对N型硅衬底，其电荷极性为负。界面可动离子电荷密度在10(10)～10(11)/cm(2)数量级。其平带电压最小达-0.55～0.88V，随电子辐照能量、剂量的改变漂移小，有抗辐射特点。上述性能都比同环境热氧化制备的SiO2/Si结构好。该方法具有设备简单、操作方便、成膜温度低、易实现大面积成膜等优点，这种新型的Poly-SiO2/Si膜宜作微电子器件表面钝化层，在其器件制备工艺中得到应用。还开辟了聚硅烷制SiC膜新研究方向。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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