CVD金刚石薄膜探测器是一种具有亚纳秒上升时间、3安培以上线性电流输出和很强的抗辐射干扰能力的新型半导体辐射探测器,能够作为反冲质子和裂变碎片脉冲中子探测系统的探测元件。通过对电流型金刚石探测器制作技术及其辐射性能的研究,可以研制出满足国家重大科研实验脉冲中子和伽玛诊断要求的性能优异的脉冲辐射探测器,形成新的诊断能力。目前,国内在CVD金刚石脉冲辐射探测器领域的研究才刚刚起步,尤其是高质量CVD金刚石制作及其对带电粒子响应特性的研究,国内外尚未见系统的研究工作。本项目的完成,不仅可为国家重大科研实验提供一种高质量的辐射探测元件,同时,对其辐射响应特性的研究,可以发展多种基于金刚石薄膜的新型辐射探测器。我们已进行金刚石探测器用于脉冲辐射探测的可行性研究并取得实质性进展,为进一步研制该类探测器提供了经验。
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数据更新时间:2023-05-31
天问一号VLBI测定轨技术
c轴倾斜CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜的外延生长
全局力平衡PDC钻头布齿优化设计
单颗金刚石磨粒磨削SiC的磨削力实验研究
基于场致激光二次谐波产生原理的纳秒脉冲电场非介入测量方法研究
基于裂变反应的CVD金刚石快中子探测器研究
读出式铁电薄膜红外探测器的研制
纳米CVD金刚石的生长及其发光的研究
CVD金刚石自支撑膜的力学行为研究