分别选取铝、镓、铟、氮、磷、锂等作为掺杂元素,利用激光分子束外延法(L-MBE)制备单元素掺杂的p型氧化锡薄膜。研究薄膜的透过率、光学带隙、杂质能级结构及载流子浓度、迁移率等参数与工艺条件、掺杂元素种类、掺杂浓度的变化关系,确定实现替位式掺杂及激活掺杂原子的工艺条件。研究退火等后处理工艺对薄膜结构及电学性质的影响,确定最佳的工艺条件。通过分析掺杂原子的电子结构及化学性质,确定待选的共掺杂元素。利用
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数据更新时间:2023-05-31
Inclusive production of fully-charmed 1+- tetraquark at B factory
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Low-Order Webpage Layout in Online Shopping Facilitates Purchase Decisions: Evidence from Event-Related Potentials
老年2型糖尿病合并胃轻瘫患者的肠道菌群分析
Canonical Wnt Signaling Drives Myopia Development and Can Be Pharmacologically Modulated
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