GaN晶体片生长机制的探索
基本信息
批准号：10044001
项目类别：专项基金项目
资助金额：6.00
负责人：陈小龙
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：2000
结题年份：2000
起止时间：2000-01-01 - 2000-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陆坤权,兰玉成,许燕萍,曹永革,俞育德,许涛,蒋培植
关键词：
氮化镓生长机制
结项摘要
研究GaN在熔体中和液氨超临界流体中以及握－液反应过程中的生长机制。实验测量成分、温度、降温速度、压力等因素对GaN的成核、生长形为、晶体形态的影响规律。可望在不太高的温度、压力下，生长出具有实用价值的GaNu单晶及尺寸可控制的GaN纳米体和纳米线。本课题不仅对GaN晶体生长有重要的指导意义，而且对其它氮化物的制备也有重要的学术价值。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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