半导体量子点结构的力学研究

半导体量子点结构具有优异的光电性能,在纳米电子学、光电子学、光子和量子计算、生命科学以及国防科技等领域有着重要的应用前景，半导体量子点的理论与实验研究已成为半导体技术研究的前沿领域。本项目拟通过对半导体量子点结构生长过程的实验观测，建立符合量子点结构特点的力学模型，研究量子点结构因晶格失配、热失配或缺陷存在所产生的弹性场、量子点自组装生长过程中二维向三维转变的机理，以及量子点结构中材料组份的不均匀性和界面应力对其弹性场的影响，分析量子点结构中应力应变场与其光学、电学等物理性能的耦合与关联。基于以上研究结果，提出通过控制制备过程源（source）材料的配比、温度、气压和生长速率等参数来调节量子点结构的尺寸、形状、组份分布及其性能的方案，对量子点生长及器件的设计提出理论指导。