用加速器-电镜联机装置原位研究离子注入制备Si基稀磁半导体的动态过程

新近建成我国第一台串列加速器-离子注入机-透射电镜联机装置，可开展材料离子注入动态过程的原位电镜观察和原位离子束分析。针对目前离子注入制备Si基稀磁半导体中的一些悬而未决的关键科学问题，如：注入的磁性杂质原子在Si中的存在形式和晶格占位、离子注入条件下辐照损伤的产生、演化和恢复、稀磁半导体铁磁性起源的物理机制等，开展深入研究。结合其他离线的HRTEM、XAFS等结构测试，SQUID、Hall效应等磁性及输运特性测量，以及理论分析，以期获得对这一当前半导体领域热门研究课题有所突破，为离子束技术制备Si基稀磁半导体材料和器件提供科学依据。