准一维稀磁氧化物纳米结构的制备及其物理性能的研究

稀磁半导体是研究自旋电子学的理想体系，它具有磁性材料和半导体的综合特性，可广泛应用于未来的自旋电子学器件。本课题拟采用气相沉积方法在准一维宽禁带氧化物半导体中实现磁性元素的原位掺杂（形成稀磁氧化物半导体纳米结构），并实现纳米结构中掺杂浓度的可控生长。通过对材料的磁学性质和输运性能的分析，研究掺杂纳米结构中铁磁性的形成机制。在此基础上优化实验方案，获得居里温度高于室温的铁磁性半导体材料。此外，还将研究磁性元素掺杂后对氧化物半导体发光性能的影响。准一维稀磁氧化物纳米结构的成功制备及其物理特性的深入研究将不仅丰富低维稀磁半导体的理论内容，也为未来自旋电子学器件和磁光器件的设计开拓了新的思路，因而具有重要的研究价值和深远的应用前景。