Si0.75C0.25有序超结构合金的制备及物理性质研究

硅碳合金(主要为SiC)是继硅和砷化镓后发展起来的第三代半导体材料，也是优良的信息器件基片材料。其宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度等特点，决定了它在很多领域中的巨大应用价值和在某些领域内取代硅和砷化镓等光电材料的必然趋势。本研究组通过MoSi2在还原气氛中的热解反应，在国际上首次成功地制备出了具有超点阵结构的Si0.75C0.25单晶，为该类信息材料增加了新的成员。由于它不同于SiC的结构和成分，该合金晶体可能具有很特殊的物理性质。对该材料的形成机制、生长制备条件和物理特性进行系统的研究不仅可以得到崭新的材料科学方面的结果，也将为发展新型的信息器件提供具有应用前景的依据。本项目拟在原有研究的基础上开展较大尺寸的Si0.75C0.25合金晶体的生长制备研究，并对其光电性能进行测定；通过研究该种结构的形成机制，建立新的Si-C配位模型；进而研制以该材料为基质的信息器件。