强磁场条件下MgB2超导体制备及机理研究

基本信息
批准号:50777062
项目类别:面上项目
资助金额:28.00
负责人:马衍伟
学科分类:
依托单位:中国科学院电工研究所
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:禹争光,王栋樑,许爱霞,张现平,高召顺
关键词:
超导性能MgB2强磁场生长机理
结项摘要

MgB2作为一种新型超导材料深受关注,且发展迅速。当前,对MgB2超导体制备技术的研究主要是使用固态反应法制备块材、粉末装管法制备带材。除此以外的新的研究方法, 尤其是利用强磁场的开发研究还是空白。二硼化镁材料的实用化迫切要求更高性能的材料,而强磁场制备技术可以为提高二硼化镁的超导性能提供新的途径。本项目以强磁场为主要手段,在强磁场下制备非掺杂和掺杂MgB2超导材料,并对强磁场下它们的制备过程、结构和性能作深入、系统的研究,探索强磁场中它们生长的一般规律,继而开发出新的高性能MgB2材料的制备方法。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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