III族氮化物纳米线中“d0 - 铁磁性”的第一性原理研究

稀磁半导体是很有应用前景的自旋电子学材料，通常人们在本征半导体中掺入过渡金属元素以获得稀磁半导体，这些材料已得到广泛的研究。最近人们发现某些半导体材料中由于存在本征缺陷或掺入非过渡金属杂质也可以产生铁磁性，这种铁磁性被称为"d0 - 铁磁性"，这类材料为寻找室温下可用的自旋电子学材料开辟了一条新的途径。本项目拟采用基于量子力学的第一性原理计算方法研究Ⅲ族氮化物半导体BN，AlN，GaN,InN纳米线中的本征缺陷和非过渡金属杂质对磁性的影响，希望通过掺杂、调整纳米材料形状和尺寸大小，设计出具有良好光学特性和室温铁磁性的材料，为实验研究光电子器件的应用提供理论指导和参考。